BKTEM-B2薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)
關(guān)鍵詞：薄膜熱電，賽貝克系數(shù)，Seebeck，四線法
為解決日益緊迫的能源危機(jī)，太陽能、風(fēng)能、核能等多種新能源不斷被開發(fā)利用。新能源的使
用需要優(yōu)質(zhì)的節(jié)能材料。利用熱電材料制成的制冷和發(fā)電系統(tǒng)，具有體積小、重量輕、無任何機(jī)械噪音、不造成任何環(huán)境污染等眾多優(yōu)點(diǎn)。因此對熱電材料的研究非常重要。為了進(jìn)一步提高熱電材料的轉(zhuǎn)化效率（熱電優(yōu)值），對其研究從塊體慢慢轉(zhuǎn)移到薄膜材料。
技術(shù)原理
動態(tài)法：測量 Seebeck 系數(shù)
在待測溫場下給樣品兩端加一個連續(xù)變化的微小溫差，通過記錄樣品兩端溫差和熱電勢的變化，
然后將溫差和熱電勢擬合成一條直線，直線斜率即為該材料在該溫場下的 Seebeck 系數(shù)。
采用四線法測量電阻率。 硬件特點(diǎn)
專門針對薄膜材料的 Seebeck 系數(shù)和電阻率測量。
采用動態(tài)法測量 Seebeck 系數(shù),避免了靜態(tài)測量在溫差測量上的系統(tǒng)誤差,測量更準(zhǔn)確。
采用四線法測量電阻率，測量更加穩(wěn)定可靠。
薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)
技術(shù)原理
動態(tài)法：測量 Seebeck 系數(shù)
在待測溫場下給樣品兩端加一個連續(xù)變化的微小溫差，通過記錄樣品兩端溫差和熱電勢的變化，
然后將溫差和熱電勢擬合成一條直線，直線斜率即為該材料在該溫場下的 Seebeck 系數(shù)。
采用四線法測量電阻率。 硬件特點(diǎn)
專門針對薄膜材料的 Seebeck 系數(shù)和電阻率測量。
采用動態(tài)法測量 Seebeck 系數(shù),避免了靜態(tài)測量在溫差測量上的系統(tǒng)誤差,測量更準(zhǔn)確。
采用四線法測量電阻率，測量更加穩(wěn)定可靠。
1. 實現(xiàn)功能：在室溫溫場下可同步測量Seebeck系數(shù)和電阻率；
2. 電勢測量：采集系統(tǒng)采用商業(yè)高分辨數(shù)字萬用表；
3. 溫差測量：溫差精度控制：+/-0.1K，控溫速率：0.02–50K/min；溫差控制：0-80K ；
4. Seebeck系數(shù)和電阻測量方法：Seebeck系數(shù)-靜態(tài)直流法, 多溫差法，電阻率-四端法；
5. Seebeck系數(shù)測量范圍和分辨率：1μV/K-25V/K；測量分辨率：10nV/K；
6. 電阻率測量范圍和分辨率：0.2μOhmm-2.5Ohmm；測量分辨率：10nOhmm；
7. 測量精度：Seebeck 系數(shù) : +/- 7%，電阻率 : +/- 10%；
8. 樣品尺寸：直徑或正方形 6-12mm，長度6-22mm，正反面電極均可；
9. 探頭測試間距：6, 8 mm，任選一種；
10. 外接電源：單相220V ，50Hz；
11. 軟件：圖形化界面， windows 菜單，數(shù)據(jù)采集；加熱恒溫降溫溫度程序化設(shè)計；易于操作的菜單設(shè)計，測量結(jié)果可以txt，EXC
